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产品分类
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产品信息
AOD2N60 MOS场效应管 AOD2N60L N沟道
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数据列表 |
AO(D,U)2N60 |
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类别 |
分立半导体产品 |
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产品族 |
晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
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系列 |
- |
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FET 类型 |
N 通道 |
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技术 |
MOSFET（金属氧化物） |
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漏源电压（Vdss） |
600V |
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） |
2A（Tc） |
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驱动电压（ Rds On， Rds On） |
10V |
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） |
4.4 欧姆 @ 1A，10V |
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不同 Id 时的 Vgs（th）（值） |
4.5V @ 250μA |
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） |
11nC @ 10V |
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Vgs（值） |
±30V |
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） |
325pF @ 25V |
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FET 功能 |
- |
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功率耗散（值） |
56.8W（Tc） |
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工作温度 |
-50°C ~ 150°C（TJ） |
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安装类型 |
表面贴装型 |
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供应商器件封装 |
TO-252 |
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封装/外壳 |
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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